AOTF190A60L
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-220F-3
¥4.62
519
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):600 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
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批次
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渠道
AOTF190A60L
AOS
TO-220F-3

1000+:¥4.62

500+:¥4.7

100+:¥4.88

50+:¥5.28

10+:¥5.63

1+:¥6.28

519

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AOTF190A60L
AOS
TO-220F

1000+:¥29.66

1+:¥30.43

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 7.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1935 pF @ 100 V
FET 功能 标准
功率耗散(最大值) 32W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包