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SQS411ENW-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8W
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SQS411ENW-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8W
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1000+:￥1.235 500+:￥1.311 100+:￥1.444 30+:￥1.83 10+:￥2.08 1+:￥2.66 |
5489 |
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3000+:￥1.24 1+:￥1.31 |
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圣禾堂
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3000+:￥1.2896 1+:￥1.3624 |
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1500+:￥1.441 750+:￥1.529 100+:￥1.705 30+:￥2.134 |
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3天-15天
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8W
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30000+:￥1.7402 6000+:￥1.8786 3000+:￥1.9775 800+:￥2.7685 100+:￥3.955 20+:￥6.4368 |
6000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27.3 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3191 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 39.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8W |