咨询/建议
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：225mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.9A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@1.8V,2.3A
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V；65mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：10W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V,1.2A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：160V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.56W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：1.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：900mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：35mA，集射极击穿电压(Vceo)：10V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：61mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，耗散功率(Pd)：2W，阈值电压(Vgs(th))：3V@250uA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,5A，耗散功率(Pd)：2.3W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 50mA，2.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：86A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：750mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：2 个 P 沟道（双），漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 4.5A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,28A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V