BSS123
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0658
16,253
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):200mA,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,0.1A
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BORN(伯恩半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0658

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3000+:¥0.0807

600+:¥0.0976

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伯恩半导体(BORN)
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属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 200mA
导通电阻(RDS(on)) 4Ω@4.5V,0.1A