CSD16340Q3
TI(德州仪器)
8-PowerTDFN
¥1.87
10,775
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):25 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),60A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,8V
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CSD16340Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

1000+:¥1.87

500+:¥1.98

100+:¥2.44

30+:¥2.81

10+:¥3.17

1+:¥3.91

2584

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CSD16340Q3
德州仪器(TI)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)

25000+:¥2.2374

5000+:¥2.4154

2500+:¥2.5425

800+:¥3.5595

200+:¥5.085

10+:¥8.2758

5097

-
CSD16340Q3
TI(德州仪器)
SON

500+:¥10.29

100+:¥11.73

20+:¥13.71

1+:¥18.06

3000

21+
CSD16340Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP8

30+:¥6.5879

10+:¥6.7077

1+:¥7.3066

94

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CSD16340Q3
TI(德州仪器)
8-VSON-CLIP(3.3x3.3)

2500+:¥3.18

1+:¥3.31

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.5 毫欧 @ 20A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) +10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1350 pF @ 12.5 V
功率耗散(最大值) 3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) External:Taiwan
晶圆地(城市)(CSO) External:1
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines External:Philippines;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH External:2