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CSD16340Q3
TI(德州仪器)
8-PowerTDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，8V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥1.87 500+:￥1.98 100+:￥2.44 30+:￥2.81 10+:￥3.17 1+:￥3.91 |
2584 |
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立创商城
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德州仪器(TI)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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25000+:￥2.2374 5000+:￥2.4154 2500+:￥2.5425 800+:￥3.5595 200+:￥5.085 10+:￥8.2758 |
5097 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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SON
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500+:￥10.29 100+:￥11.73 20+:￥13.71 1+:￥18.06 |
3000 |
21+
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在芯间
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP8
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30+:￥6.5879 10+:￥6.7077 1+:￥7.3066 |
94 |
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华秋商城
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TI(德州仪器)
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8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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2500+:￥3.18 1+:￥3.31 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 9.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350 pF @ 12.5 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |