咨询/建议
双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：8 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：80A，84A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5.8A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：202A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：63A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@6V,23A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,40A
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20.7A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,13.1A，耗散功率(Pd)：208W
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：68.5A，导通电阻(RDS(on))：41mΩ@10V,33.1A，耗散功率(Pd)：500W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：225mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@2.5V
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.7A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@2.5V,3A
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：1.3Ω@10V,500mA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V；2.2Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：950mA，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：410mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V,3.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,3.4A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：25V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V,0.7A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：750mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V