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SQ2364EES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQ2364EES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.21 500+:￥1.29 100+:￥1.42 30+:￥1.72 10+:￥1.96 1+:￥2.52 |
5915 |
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立即发货
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立创商城
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SQ2364EES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.5571 |
40 |
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3天-5天
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唯样商城
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SQ2364EES-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3(TO-236-3)
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1000+:￥1.8931 500+:￥2.1771 100+:￥2.3664 30+:￥2.6503 10+:￥3.2183 1+:￥3.7862 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |