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STP8N120K5
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STP8N120K5
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥7.39 500+:￥7.65 100+:￥8.26 50+:￥9.61 10+:￥10.92 1+:￥13.02 |
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥7.7 1+:￥7.98 |
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圣禾堂
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥8.008 1+:￥8.2992 |
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硬之城
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100+:￥8.778 5+:￥10.351 |
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意法半导体(ST)
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TO-220
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10000+:￥15.6986 2000+:￥16.9473 1000+:￥17.8393 500+:￥24.975 100+:￥35.6786 10+:￥58.0669 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13.7 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 505 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |