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晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：150mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：510mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：260mΩ@4.5V,1A
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：5mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：30uA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：150mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：75W
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：4mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，门极触发电流(Igt)：100uA
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.1A，导通电阻(RDS(on))：108mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：103mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：9.5Ω@10V
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：500mW
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：62.5mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：900mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 50mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：20 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：30 Ohms
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：14.7A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,8A，耗散功率(Pd)：22.2W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：500 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,5A
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：4，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：40W
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A，5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V，耗散功率(Pd)：16.6W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），12.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：15 V，漏源电压（Vdss）：15 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：32 mA @ 5 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.58mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：8.6mΩ@10V,20A
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.3 毫欧 @ 8A，8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：70A，耗散功率(Pd)：130W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：23A，导通电阻(RDS(on))：56mΩ@10V,10A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：210mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：11.5A，导通电阻(RDS(on))：330mΩ@10V,7A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：142A，导通电阻(RDS(on))：2.6mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V；18mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：7.5A，导通电阻(RDS(on))：360mΩ@10V,3A