咨询/建议
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：246mW，直流电流增益(hFE)：80@5.0mA,10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V，最小输入电压(VI(on))：1.3V@5mA,0.3V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,4.5A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：950mA，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@2.5V,0.5A
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：310mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：97mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 4.5A，4.5V，90 毫欧 @ 500mA，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA，130mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：1.5W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,4.2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V；45mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：320mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,10A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：125 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 50mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：850mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
可控硅类型：1个单向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1V，断态峰值电压(Vdrm)：650V，通态峰值电压(Vtm)：1.7V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：80mA，集射极击穿电压(Vceo)：12V，耗散功率(Pd)：580mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：33A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V；8mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，20V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V