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IPD082N10N3G
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ@10V,73A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD082N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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2500+:￥4.21 1+:￥4.38 |
444 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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IPD082N10N3G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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25000+:￥4.631 5000+:￥4.9994 2500+:￥5.2625 800+:￥7.3675 200+:￥10.525 10+:￥17.1294 |
444 |
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油柑网
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IPD082N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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100+:￥5.4 30+:￥6.9 10+:￥7.73 1+:￥9.24 |
307 |
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立即发货
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立创商城
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IPD082N10N3G
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INFINEON(英飞凌)
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TO-252-3
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500+:￥6.31 100+:￥6.91 20+:￥8.61 1+:￥9.75 |
3000 |
22+/23+
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在芯间
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IPD082N10N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥4.3784 1250+:￥4.5552 100+:￥5.0232 1+:￥6.032 |
2471 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V,73A |