IRFP260MPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥3.13
41,453
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRFP260MPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

400+:¥3.13

1+:¥3.38

23069

25+
立即发货
IRFP260MPBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC

800+:¥3.22

400+:¥3.39

100+:¥3.77

25+:¥4.6

10+:¥6.5

1+:¥7.85

10733

-
立即发货
IRFP260MPBF
Infineon(英飞凌)
TO247

500+:¥3.85

100+:¥4.42

20+:¥5.31

1+:¥7.31

1000

24+/23+
IRFP260MPBF
Infineon(英飞凌)
TO247AC-3

100+:¥3.938

30+:¥4.1528

10+:¥4.2244

1+:¥4.5824

400

-
立即发货
IRFP260MPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-247-3

250+:¥4.356

50+:¥4.7025

25+:¥4.95

15+:¥6.93

5+:¥9.9

1+:¥16.1123

6251

-

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 40 毫欧 @ 28A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 234 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4057 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3