SI7155DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
¥5.2
54,985
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SI7155DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.2

1+:¥5.38

11898

2年内
立即发货
SI7155DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8

1500+:¥5.36

750+:¥5.57

100+:¥6.04

30+:¥7.11

10+:¥8.06

1+:¥9.78

1813

-
立即发货
SI7155DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.408

1+:¥5.5952

11828

2年内
1-2工作日发货
SI7155DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥5.434

1500+:¥5.6221

750+:¥5.8416

100+:¥6.4372

7+:¥7.3882

11835

-
3天-15天
SI7155DP-T1-GE3
威世(VISHAY)
PowerPAK-SO-8

30000+:¥5.72

6000+:¥6.175

3000+:¥6.5

800+:¥9.1

200+:¥13.0

10+:¥21.1575

11830

-

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 330 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12900 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta),104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8