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开关类型：通用，输出数：8，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：N 通道
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：34A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,34A
FET 类型：2 N-通道（双），电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，漏源电压（Vdss）：40 V，漏极电流 (Id) - 最大值：50 mA，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1.5 V @ 0.1 µA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：22 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：22 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V,500mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@4.5V,3A
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：125mW
数量：1个NPN-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,1.9A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：350mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.51W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：780mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A，2.5A
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：158mΩ@4.5V,1.2A，耗散功率(Pd)：1.25W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9.4A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：82mΩ@10V；90mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：34A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.1A（Ta），7.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），44A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 8A，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,2.8A，耗散功率(Pd)：900mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：47 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：500mW