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FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.5A（Ta），58A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：125A，导通电阻(RDS(on))：2.9mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：83W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：80A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：370A，导通电阻(RDS(on))：1.35mΩ@10V,100A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V,1mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：625mW
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.8 欧姆 @ 250mA，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@2.5V,4A
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V,8A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@4.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，250mV
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：115V，连续漏极电流(Id)：172A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,17A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V,500mA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：5mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：5uA
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：350mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V；4.3Ω@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V