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IRFR1205TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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IRFR1205TRPBF
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥3.724 |
435 |
2119
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现货最快4H发
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京北通宇
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IRFR1205TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥7.458 4000+:￥8.0513 2000+:￥8.475 500+:￥11.865 200+:￥16.95 10+:￥27.5861 |
4000 |
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油柑网
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IRFR1205TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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57+:￥5.2528 20+:￥5.831 1+:￥6.9972 |
57 |
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立即发货
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华秋商城
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IRFR1205TRPBF
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Infineon
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TO-252
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2000+:￥3.99 |
4000 |
22+
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4-6工作日
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云汉芯城
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IRFR1205TRPBF
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Infineon Technologies/IR
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TO-252
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55+:￥4.8415 33+:￥5.3218 11+:￥5.868 |
1105 |
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14-18工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 65 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 107W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |