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CSD17308Q3
TI(德州仪器)
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），44A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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VSON-Clip-8
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1000+:￥1.748 500+:￥1.8525 100+:￥2.223 30+:￥2.5745 10+:￥2.926 1+:￥3.6385 |
2069 |
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现货
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硬之城
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TI(德州仪器)
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8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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2500+:￥1.8 1+:￥1.89 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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1000+:￥1.8216 500+:￥1.9305 100+:￥2.3166 30+:￥2.71 10+:￥3.08 1+:￥3.83 |
1343 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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VSON-Clip-8
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2500+:￥1.872 1+:￥1.9656 |
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2年内
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硬之城
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TI
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8-VSON
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1+:￥2.0665 |
1113 |
2249
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），44A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.3 毫欧 @ 10A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |