咨询/建议
数量：1个NPN-预偏置，集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，耗散功率(Pd)：200mW
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：850mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
门极触发电压(Vgt)：1.5V，断态峰值电压(Vdrm)：1.2kV，门极触发电流(Igt)：40mA，通态峰值电压(Vtm)：1.6V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：15A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：6W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，耗散功率(Pd)：166W，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：93A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：88A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：300A，导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ@10V,50A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.9A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V,2.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：680mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V,5.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：10W
双向可控硅类型：逻辑 - 灵敏栅极，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：1 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：8A，8.5A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：48W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@5V，工作温度：-40℃~+85℃
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：27A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 µA @ 10 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：600 mV @ 1 nA，不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Ta），28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管