MMBT3906WT1G
onsemi(安森美)
SC-70,SOT-323
¥0.0771
288,587
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 5mA,50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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MMBT3906WT1G
ON(安森美)
SC-70-3(SOT323)

3000+:¥0.0771

1+:¥0.0971

67691

2年内
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MMBT3906WT1G
ON(安森美)
SOT-323(SC-70)

3000+:¥0.08018

1+:¥0.10098

67687

2年内
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MMBT3906WT1G
ON(安森美)
SOT-323(SC-70)

3000+:¥0.08018

1+:¥0.10098

10931

24+
1-2工作日发货
MMBT3906WT1G
安森美(onsemi)
SOT-323

30000+:¥0.0848

6000+:¥0.0916

3000+:¥0.0964

800+:¥0.135

100+:¥0.1928

20+:¥0.3137

69346

-
MMBT3906WT1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-70-3 / SOT-323-3

1+:¥0.1078

2105

2436
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 5mA,50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 150 mW
频率 - 跃迁 250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323