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SI2356DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2356DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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TO-236
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3000+:￥0.59 1+:￥0.634 |
19415 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI2356DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.6136 1+:￥0.65936 |
19361 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2356DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.6136 1+:￥0.65936 |
4414 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2356DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.6468 6000+:￥0.6983 3000+:￥0.735 800+:￥1.029 200+:￥1.47 10+:￥2.3924 |
66000 |
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油柑网
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SI2356DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.649 1500+:￥0.6974 200+:￥0.8019 50+:￥1.0428 |
19415 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 51 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |