SI2302S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.07263
46,900
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):48mΩ@4.5V,3A
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渠道
SI2302S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0726

9000+:¥0.078

3000+:¥0.0882

600+:¥0.1126

200+:¥0.132

20+:¥0.167

40800

-
立即发货
SI2302S
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.0847

1200+:¥0.1081

300+:¥0.1268

20+:¥0.1604

3000

-
立即发货
SI2302S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

3000+:¥0.105

600+:¥0.131

200+:¥0.158

20+:¥0.173

3100

23+/24+
SI2302S
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

9000+:¥0.0828

6000+:¥0.085

3000+:¥0.0864

2000000

25+
5-10工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 48mΩ@4.5V,3A