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IRLML6302TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：780mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLML6302TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(Micro3)
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3000+:￥0.288 1+:￥0.325 |
50866 |
2年内
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圣禾堂
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IRLML6302TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.29952 1+:￥0.338 |
50810 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLML6302TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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1000+:￥0.3193 500+:￥0.3348 100+:￥0.3658 30+:￥0.3968 1+:￥0.4123 |
2325 |
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华秋商城
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IRLML6302TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.3306 500+:￥0.4369 150+:￥0.4894 50+:￥0.5595 5+:￥0.6997 |
4190 |
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立创商城
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IRLML6302TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.374 6000+:￥0.4038 3000+:￥0.425 800+:￥0.595 200+:￥0.85 10+:￥1.3834 |
7893 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 780mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.6 nC @ 4.45 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 97 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |