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IPD320N20N3G
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：34A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,34A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD320N20N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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1000+:￥3.77 500+:￥3.91 100+:￥4.22 30+:￥4.92 10+:￥5.55 1+:￥6.68 |
1008 |
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立即发货
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立创商城
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IPD320N20N3G
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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25000+:￥5.973 5000+:￥6.4481 2500+:￥6.7875 800+:￥9.5025 200+:￥13.575 10+:￥22.0933 |
5263 |
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油柑网
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IPD320N20N3G
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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100+:￥6.215 30+:￥6.215 10+:￥6.984 1+:￥7.8 |
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20+/21+
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在芯间
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IPD320N20N3G
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥15.288 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 34A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,34A |