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SIS443DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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Vishay(威世)
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3000+:￥2.1533 |
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3000+:￥3.3 1+:￥3.53 |
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3000+:￥3.432 1+:￥3.6712 |
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硬之城
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1000+:￥3.53 500+:￥3.68 100+:￥4.0 30+:￥4.74 10+:￥5.38 1+:￥6.54 |
5220 |
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥3.63 6000+:￥3.9188 3000+:￥4.125 800+:￥5.775 200+:￥8.25 10+:￥13.4269 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 135 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4370 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |