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STP110N8F6
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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TO-220-3
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1000+:￥2.68 1+:￥2.8 |
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1000+:￥2.7872 1+:￥2.912 |
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1000+:￥2.86 500+:￥3.04 100+:￥3.39 50+:￥3.97 10+:￥4.88 1+:￥6.04 |
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1000+:￥2.948 100+:￥3.08 20+:￥3.85 |
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ST(意法半导体)
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250+:￥3.3222 50+:￥3.8906 10+:￥4.7824 1+:￥5.9192 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9130 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |