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DMG6601LVT-7
DIODES(美台)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
场效应管(MOSFET)
技术：MOSFET（金属氧化物），配置：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A，2.5A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMG6601LVT-7
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DIODES(美台)
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TSOT26
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3000+:￥0.315 1+:￥0.337 |
5397 |
2年内
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圣禾堂
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DMG6601LVT-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-6细型，TSOT-23-6
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3000+:￥0.3276 1+:￥0.35048 |
5061 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG6601LVT-7
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DIODES(美台)
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TSOT-26
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6000+:￥0.3529 3000+:￥0.3753 500+:￥0.4203 150+:￥0.4765 50+:￥0.5514 5+:￥0.7013 |
8685 |
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立创商城
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DMG6601LVT-7
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DIODES(美台)
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SOT23-6
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3000+:￥0.3972 1200+:￥0.4356 600+:￥0.44 50+:￥0.5653 5+:￥0.7119 |
2635 |
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华秋商城
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DMG6601LVT-7
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Diodes(达尔)
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TSOT-26
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3000+:￥0.4095 1500+:￥0.4381 200+:￥0.4823 90+:￥0.5918 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A，2.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 422pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 850mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |