咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V,500mA
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V,0.2A，阈值电压(Vgs(th))：2.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V,0.22A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：514mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.51W
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧，电阻器 - 发射极 (R2)：47 千欧
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.2A，导通电阻(RDS(on))：86mΩ@1.8V,2.3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
门极触发电压(Vgt)：800mV，保持电流(Ih)：4mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：200uA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：400V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，耗散功率(Pd)：41.6W
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，漏源电压（Vdss）：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 10 nA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 3A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@4.5V,10A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V,9.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.5A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V
双向可控硅类型：逻辑 - 灵敏栅极，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：8 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：80A，84A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），80A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.9A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：4 个 N 通道，FET 功能：标准，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.8A（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 10A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：82mΩ@2.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：140V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）