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DMP10H400SE-13
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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DMP10H400SE-13
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DIODES(美台)
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SOT223
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2500+:￥0.98 1+:￥1.04 |
823 |
25+
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圣禾堂
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DMP10H400SE-13
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美台(DIODES)
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SOT-223
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25000+:￥1.078 5000+:￥1.1638 2500+:￥1.225 800+:￥1.715 200+:￥2.45 10+:￥3.9874 |
823 |
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油柑网
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DMP10H400SE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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2500+:￥1.1315 500+:￥1.2412 150+:￥1.4827 50+:￥1.6762 5+:￥2.1278 |
2870 |
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Diodes(达尔)
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SOT-223-3
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100+:￥1.32 30+:￥1.705 |
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唯样商城
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DIODES INCORPORATED
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SOT-223
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1+:￥3.5033 |
50 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta），6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1239 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），13.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |