咨询/建议
BSH103BKR
Nexperia(安世)
TO-236AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSH103BKR
|
Nexperia(安世)
|
3000+:￥0.3684 1500+:￥0.4236 1000+:￥0.5168 100+:￥0.6615 1+:￥0.8732 |
100 |
-
|
3天-5天
|
唯样商城
|
|
|
BSH103BKR
|
Nexperia(安世)
|
TO-236AB
|
6000+:￥0.3748 3000+:￥0.3982 500+:￥0.4451 150+:￥0.514 50+:￥0.5938 5+:￥0.7534 |
1425 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSH103BKR
|
nexperia
|
TO-236AB
|
6000+:￥0.3288 3000+:￥0.346 500+:￥0.39 150+:￥0.46 50+:￥0.53 5+:￥0.67 |
7809 |
2501+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
BSH103BKR
|
nexperia
|
TO-236AB
|
144000+:￥0.5153 72000+:￥0.5243 36000+:￥0.5334 18000+:￥0.5424 |
18000 |
-
|
2-4周
|
云汉芯城
|
|
BSH103BKR
|
nexperia
|
TO-236AB
|
300+:￥0.874 180+:￥0.9676 60+:￥1.056 |
11050 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 79.3 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta），2.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |