HSH90P06
HUASHUO(华朔)
TO-263
¥3.5
3,223
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):85A,耗散功率(Pd):210W
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渠道
HSH90P06
HUASHUO(华朔)
TO-263

800+:¥3.5

500+:¥3.66

100+:¥4.61

30+:¥5.41

10+:¥6.11

1+:¥7.39

2647

-
立即发货
HSH90P06
HUASHUO(华朔)
TO-263

100+:¥4.71

30+:¥5.51

10+:¥6.21

1+:¥7.5

514

20+/21+
HSH90P06
HUASHUO(华朔)
TO-263(D²Pak)

100+:¥4.428

30+:¥4.674

10+:¥4.756

1+:¥5.166

31

-
立即发货
HSH90P06
华朔(HUASHUO)
TO-263(D²Pak)

100+:¥4.92

30+:¥6.888

10+:¥7.38

1+:¥8.5239

31

-
HSH90P06
HUASHUO/深圳华朔半导体
TO-263-2

1000+:¥3.587

300+:¥3.6587

100+:¥3.8022

30+:¥4.4966

10+:¥4.7527

1+:¥5.2011

800

25+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 85A
耗散功率(Pd) 210W