咨询/建议
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：73mΩ@1.8V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@10mA,5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：56@5mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,8A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：510mA，导通电阻(RDS(on))：1Ω@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：1W
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：135mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：25W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V,1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：68mΩ@10V,12A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11.8A，导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V,11A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,3A
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），27A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：145A，导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：50W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,20A
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：62mΩ@4.5V,4.5A，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：7 NPN 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 350mA，2V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@10V,20A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：375mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V；43mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：58 毫欧 @ 2.9A，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：10.6mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：84A，导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ@10V,50A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V