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STGP10H60DF
ST(意法半导体)
TO-220
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，10A
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封装
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价格(含税)
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STGP10H60DF
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ST(意法半导体)
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TO-220
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50+:￥10.26 10+:￥11.5 1+:￥13.48 |
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立即发货
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立创商城
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STGP10H60DF
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意法半导体(ST)
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TO-220
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1000+:￥18.2533 500+:￥20.9913 100+:￥22.8166 50+:￥25.5546 10+:￥31.0306 1+:￥36.5066 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 1.95V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值 | 115 W |
| 开关能量 | 83µJ（开），140µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 57 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 19.5ns/103ns |
| 测试条件 | 400V，10A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 107 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |