咨询/建议
STGW80H65DFB-4
ST(意法半导体)
TO-247-4
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STGW80H65DFB-4
|
ST(意法半导体)
|
TO-247-4
|
30+:￥21.0 10+:￥21.31 1+:￥21.79 |
52 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值 | 469 W |
| 开关能量 | 2.1mJ（开），1.5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 414 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 84ns/280ns |
| 测试条件 | 400V，80A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 85 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |