IKW75N65ET7XKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥28.22
1
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,75A
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
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批次
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渠道
IKW75N65ET7XKSA1
Infineon Technologies/IR

7200+:¥8.475

4320+:¥8.625

2880+:¥8.85

1440+:¥9.0

1440

22+
5-9工作日
IKW75N65ET7XKSA1
Infineon Technologies/IR

500+:¥39.882

100+:¥43.837

2+:¥48.3

69

-
14-18工作日
IKW75N65ET7XKSA1
Infineon Technologies/IR

15+:¥48.7625

10+:¥51.0482

5+:¥58.7535

2+:¥61.7329

223

-
10-15工作日
IKW75N65ET7XKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-247-3

30+:¥28.22

10+:¥28.7

1+:¥29.42

1

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 225 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 1.65V @ 15V,75A
功率 - 最大值 333 W
开关能量 2.17mJ(开),1.23mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 435 nC
25°C 时 Td(开/关)值 28ns/310ns
测试条件 400V,75A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 100 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3