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STGD18N40LZT4
ST(意法半导体)
DPAK
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿（最大值）：420 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A，功率 - 最大值：125 W
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STGD18N40LZT4
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意法半导体(ST)
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TO-252
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1000+:￥7.9809 100+:￥9.5771 10+:￥11.1733 1+:￥13.9666 |
3750 |
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油柑网
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STGD18N40LZT4
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ST(意法半导体)
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TO-252
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500+:￥41.6 100+:￥43.2 20+:￥45.1 1+:￥51.5 |
2500 |
21+
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在芯间
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STGD18N40LZT4
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ST(意法半导体)
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DPAK
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30+:￥10.4 10+:￥10.56 1+:￥10.81 |
63 |
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立即发货
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立创商城
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STGD18N40LZT4
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥5.65 1+:￥5.85 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 420 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 25 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 1.7V @ 4.5V，10A |
| 功率 - 最大值 | 125 W |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 栅极电荷 | 29 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 650ns/13.5µs |
| 测试条件 | 300V，10A，5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |