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FGA40T65SHD
onsemi(安森美)
TO-3PN
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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FGA40T65SHD
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onsemi(安森美)
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TO-3PN
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990+:￥11.0818 510+:￥11.3833 90+:￥12.0399 30+:￥13.4603 10+:￥17.094 1+:￥22.3851 |
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立即发货
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立创商城
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FGA40T65SHD
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安森美(onsemi)
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TO-3PN
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90+:￥21.8267 30+:￥26.192 10+:￥32.7401 1+:￥39.2881 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，40A |
| 功率 - 最大值 | 268 W |
| 开关能量 | 1.01mJ（开），297µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 72.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 19.2ns/65.6ns |
| 测试条件 | 400V，40A，6 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 31.8 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |