ST(意法半导体)
TO-247
¥34.3
308
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):42 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A,功率 - 最大值:140 W
ST(意法半导体)
D2PAK
¥11.1663
5
电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥10.88
4359
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥11.15
977
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A
NCE(无锡新洁能)
TO-247
¥15.42
31
onsemi(安森美)
TO-220
¥15.96
26
电压 - 集射极击穿(最大值):430 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑
ST(意法半导体)
TO-247
¥16.4178
120
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):72 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
ROHM(罗姆)
TO-247N
¥15.82
574
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥25.4702
10
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,8A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥18.41
281
最后售卖
Infineon(英飞凌)
TO-247-3-1
¥15.0133
9
IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,15A
ST(意法半导体)
TO-247
¥20.12
1
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):115 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥21.88
10
ST(意法半导体)
TO-247
¥24.8608
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,50A
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥28.3416
6
电压 - 集射极击穿(最大值):1600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):10 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7V @ 15V,5A,功率 - 最大值:100 W
onsemi(安森美)
TO-247-4LD
¥28.83
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,75A
Littelfuse(美国力特)
TO-247
¥51.5
20
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极脉冲 (Icm):280 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,32A,功率 - 最大值:300 W
Littelfuse(美国力特)
TO-247AD
¥92.23
22
电压 - 集射极击穿(最大值):1700 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):108 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):255 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,30A,功率 - 最大值:937 W
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥188.16
0
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):95 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):235 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):4V @ 15V,25A,功率 - 最大值:937 W
Infineon(英飞凌)
螺栓安装
¥294.55
4
Infineon(英飞凌)
螺栓安装
¥286.48
16
IGBT类型:IGBT模块,集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):320A,耗散功率(Pd):1.1kW
Infineon(英飞凌)
-
¥442.75
8
Infineon(英飞凌)
-
¥516.2
0
Infineon(英飞凌)
螺栓安装
¥557.75
2
Infineon(英飞凌)
-
¥592.81
0
Littelfuse(美国力特)
ISOPLUSi5-Pak
¥931.19
50
电压 - 集射极击穿(最大值):4000 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):400 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,40A,功率 - 最大值:380 W
Infineon(英飞凌)
SOT-223-3
¥1.96
576
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2.2 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):3 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,1A,功率 - 最大值:5.1 W
Infineon(英飞凌)
SOT-223-3
¥2.82
100
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.7 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):9 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,3A,功率 - 最大值:6.3 W
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥3.332
33
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,6A
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥4.08
108
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11.7 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,6A
Slkor(萨科微)
TO-220F
¥3.7
45
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):40A,耗散功率(Pd):46W
TOSHIBA(东芝)
TO-3P
¥5.04
0
ST(意法半导体)
TO-220
¥5.4848
29
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:80 W
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
¥4.8007
947
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥5.95
49
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4.5V,7A,功率 - 最大值:25 W
onsemi(安森美)
TO-252AA
¥4.66
1207
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):6 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,1A
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
¥2.4
128
Infineon(英飞凌)
TO-220FP-3
¥6.176
404
ST(意法半导体)
TO-220
¥6.44
12
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥9.35
50
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,5A,功率 - 最大值:65 W
Infineon(英飞凌)
TO-220FP-3
¥6.7347
404
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
TO-263
¥9.516
10
电压 - 集射极击穿(最大值):460 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.0V @ 5V,10A,功率 - 最大值:107 W,输入类型:标准
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥8.5467
0
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥6.85
867
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A,功率 - 最大值:25 W
Slkor(萨科微)
TO-247
¥4.088
3
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):15A,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V
停产
onsemi(安森美)
TO-247
¥7.78
560
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):21 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,5A
KEC(开益禧)
TO-247
¥7.9
2970
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥7.9971
1822
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A,功率 - 最大值:130 W
ROHM(罗姆)
TO-263L
¥4.7944
1001
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.0533
4
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):53 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A