STGD20N45LZAG
ST(意法半导体)
DPAK
¥10.31
10
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):450 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:125 W
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STGD20N45LZAG
ST(意法半导体)
DPAK

30+:¥10.31

10+:¥10.48

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 450 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 25 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 50 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 1.25V @ 4V,6A
功率 - 最大值 125 W
输入类型 逻辑
栅极电荷 26 nC
25°C 时 Td(开/关)值 1.1µs/4.6µs
测试条件 300V,10A,1 千欧,5V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63