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FGA6560WDF
onsemi(安森美)
TO-3PN
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，60A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FGA6560WDF
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onsemi(安森美)
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TO-3PN
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1200+:￥11.38 510+:￥11.74 90+:￥12.54 30+:￥14.27 10+:￥18.13 1+:￥21.0 |
598 |
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立即发货
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立创商城
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FGA6560WDF
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安森美(onsemi)
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TO-3PN
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1200+:￥16.96 510+:￥19.504 90+:￥21.2 30+:￥23.744 10+:￥28.832 1+:￥33.92 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 180 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 306 W |
| 开关能量 | 2.46mJ（开），520µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 84 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 25.6ns/71ns |
| 测试条件 | 400V，60A，6 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 110 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |