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SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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SQ2309ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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500+:￥0.741 150+:￥0.9039 50+:￥0.9624 5+:￥1.0989 |
2505 |
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立创商城
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SQ2309ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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TO-236（SOT-23）
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3000+:￥0.881 1+:￥0.93 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.91624 1+:￥0.9672 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥0.9691 6000+:￥1.0462 3000+:￥1.1013 800+:￥1.5418 200+:￥2.2026 10+:￥3.5847 |
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油柑网
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SQ2309ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.0735 |
12080 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 336 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 265 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |