BSS87,115
Nexperia(安世)
SOT-89
¥0.864072
14,156
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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Nexperia(安世)
SOT-89

5000+:¥0.8641

2000+:¥0.9196

1000+:¥1.0122

150+:¥1.2324

50+:¥1.4007

5+:¥1.7934

1430

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Nexperia(安世)
SOT-89

1000+:¥0.8927

500+:¥1.0266

100+:¥1.2524

1+:¥1.6532

260

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1000+:¥0.92697

12000

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安世(Nexperia)
SOT-89

10000+:¥0.9517

2000+:¥1.0274

1000+:¥1.0815

500+:¥1.5141

100+:¥2.163

10+:¥3.5203

380

-
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NEXPERIA
TO-243AA

500+:¥1.078

100+:¥1.176

1+:¥1.372

82

2217
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 120 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 580mW(Ta),12.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA