咨询/建议
1N60L
UMW(友台半导体)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
1N60L
|
UMW(友台半导体)
|
TO-252(DPAK)
|
2500+:￥0.396 1+:￥0.431 |
2500 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
1N60L
|
UMW(广东友台半导体)
|
TO-252
|
2500+:￥0.41184 1+:￥0.44824 |
2494 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
1N60L
|
UMW(友台半导体)
|
TO-252
|
5000+:￥0.4141 2500+:￥0.4409 500+:￥0.5291 150+:￥0.5961 50+:￥0.6853 5+:￥0.8639 |
6450 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
1N60L
|
UMW(友台)
|
TO-252
|
2500+:￥0.4093 |
0 |
-
|
唯样商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 25 V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |