咨询/建议
HY1403D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：42A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HY1403D
|
HUAYI(华羿微)
|
TO-252-2L
|
100+:￥0.575 30+:￥0.684 10+:￥0.771 5+:￥0.974 |
0 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 42A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V |