AON7522E
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥0.78
29,423
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A(Ta),34A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7522E
AOS
8-DFN(3x3)

5000+:¥0.78

1+:¥0.841

6602

25+
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AON7522E
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.80184

1+:¥0.86528

6574

25+
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AON7522E
AOS(美国万代)
DFN 3x3 EP

5000+:¥0.858

2500+:¥0.9251

1250+:¥1.0175

100+:¥1.221

40+:¥1.595

6577

-
3天-15天
AON7522E
AOS
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.9048

2500+:¥0.961

500+:¥1.0546

150+:¥1.2648

50+:¥1.4333

5+:¥1.8264

9670

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A(Ta),34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 45 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1540 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),31W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN