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ZXM61P03FTA
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.455 1+:￥0.487 |
4623 |
24+
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圣禾堂
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ZXM61P03FTA
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4732 1+:￥0.50648 |
4617 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23
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300+:￥0.54 100+:￥0.58 30+:￥0.72 1+:￥0.9 |
3000 |
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华秋商城
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ZXM61P03FTA
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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1+:￥0.5502 |
475 |
2251
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现货最快4H发
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京北通宇
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.5842 150+:￥0.705 50+:￥0.8018 5+:￥1.0278 |
2485 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |