咨询/建议
DMN6070SY-13
DIODES(美台)
SOT-89
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DMN6070SY-13
|
DIODES(美台)
|
SOT89
|
2500+:￥0.515 1+:￥0.556 |
2069 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DMN6070SY-13
|
Diodes(美台)
|
SOT-89-3
|
2500+:￥0.5356 1+:￥0.57824 |
2066 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
DMN6070SY-13
|
美台(DIODES)
|
SOT-89-3
|
25000+:￥0.5665 5000+:￥0.6116 2500+:￥0.6438 800+:￥0.9013 200+:￥1.2876 10+:￥2.0956 |
2069 |
-
|
油柑网
|
|
|
DMN6070SY-13
|
DIODES(美台)
|
SOT-89
|
2500+:￥0.5781 500+:￥0.6373 150+:￥0.7702 50+:￥0.8767 5+:￥1.1253 |
3590 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DMN6070SY-13
|
Diodes(达尔)
|
SOT-89-3
|
1250+:￥0.6116 100+:￥0.7227 60+:￥0.9383 |
2069 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 588 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |