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SIS402DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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SIS402DN-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK1212-8
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6000+:￥1.0279 3000+:￥1.0977 500+:￥1.2141 150+:￥1.8671 50+:￥2.0766 5+:￥2.5653 |
6315 |
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3000+:￥1.04 1+:￥1.09 |
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圣禾堂
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3000+:￥1.0816 1+:￥1.1336 |
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硬之城
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威世(VISHAY)
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30000+:￥1.1308 6000+:￥1.2208 3000+:￥1.285 800+:￥1.799 200+:￥2.57 10+:￥4.1827 |
69000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥1.144 1500+:￥1.199 750+:￥1.276 100+:￥1.43 30+:￥1.793 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |