FDC5614P
MSKSEMI(美森科)
SOT-23-6
¥0.4335
7,855
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):3.3A,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V
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FDC5614P
MSKSEMI(美森科)
SOT-23-6

6000+:¥0.4335

3000+:¥0.4592

500+:¥0.5815

150+:¥0.6778

50+:¥0.755

5+:¥0.935

5465

-
立即发货
FDC5614P
MSKSEMI(美森科)
SOT23-6

600+:¥0.6567

50+:¥0.8527

5+:¥1.056

105

-
立即发货
FDC5614P
MSKSEMI(美森科)
SOT-23-6

100+:¥0.696

30+:¥0.811

10+:¥0.903

1+:¥1.119

2180

20+/21+
FDC5614P
美森科(MSKSEMI)
SOT23-6

2000+:¥0.7224

1000+:¥1.0113

500+:¥1.1558

100+:¥1.228

30+:¥1.3722

1+:¥1.6682

105

-
FDC5614P
MSKSEMI/台湾美森科
SOT-23-6

18000+:¥0.5659

3000+:¥0.6112

500+:¥0.6678

150+:¥0.8082

50+:¥0.9112

5+:¥1.0187

4438

22+
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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 3.3A
导通电阻(RDS(on)) 80mΩ@10V