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SIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SC-70-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SIA445EDJ-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SC-70-6
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500+:￥1.0355 150+:￥1.1357 50+:￥1.216 5+:￥1.4034 |
1720 |
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立创商城
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SIA445EDJ-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SC-70-6
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30000+:￥1.0571 6000+:￥1.1412 3000+:￥1.2013 800+:￥1.6818 200+:￥2.4026 10+:￥3.9102 |
81000 |
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油柑网
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SIA445EDJ-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SC-70-6
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3000+:￥1.56272 1000+:￥1.59174 500+:￥1.62076 100+:￥1.64833 10+:￥1.66865 |
28032 |
22+
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现货
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硬之城
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SIA445EDJ-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SC-70-6 单
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3000+:￥2.37 1+:￥2.47 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2130 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），19W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |