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DMN1019UVT-7
DIODES(美台)
TSOT-26
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN1019UVT-7
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DIODES(美台)
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TSOT26
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3000+:￥0.547 1+:￥0.588 |
3000 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN1019UVT-7
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美台(DIODES)
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SOT-26
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30000+:￥0.5599 6000+:￥0.6045 3000+:￥0.6363 800+:￥0.8908 200+:￥1.2726 10+:￥2.0711 |
15000 |
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油柑网
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DMN1019UVT-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-6细型，TSOT-23-6
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3000+:￥0.56888 1+:￥0.61152 |
2994 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN1019UVT-7
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Diodes(达尔)
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TSOT-23
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3000+:￥0.6017 1500+:￥0.6468 200+:￥0.7436 60+:￥0.9669 |
3000 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN1019UVT-7
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DIODES(美台)
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TSOT-26
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500+:￥0.6616 150+:￥0.7879 50+:￥0.8891 5+:￥1.1252 |
910 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50.4 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2588 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.73W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |